产品应用:
此款CVD生长系统适用于CVD工艺,如碳化硅镀膜、陶瓷基片导电率测试、ZnO纳米结构的可控生长、陶瓷电容(MLCC)气氛烧结等实验。 产品组成: 此款CVD系统配置: 1.1200度开启式真空管式炉(可选配多温区)。 2.多路质量流量控制系统 3.真空系统(可选配中真空或高真空) 产品特点: 1 控制电路选用模糊PID程控技术,该技术控温精度高,热惯性小,温度不过冲,性能可靠,操作简单。 2 气路快速连接法兰结构采用本公司du有的知识产权设计,提高操作便捷性。 3 中真空系统具有真空度上下限自动控制功能,高真空系统采用高压强耐冲击 分子泵防止意外漏气造成分子泵损坏,延长系统使用寿命。
特点展示:
产品参数:
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