产品用途:
此款CVD系统是专门为在金属箔上生长薄膜而设计,特别是应用在新一代能源关于柔性金属箔
电极方面的研究,通过滑动炉实现快速加热和冷却。
产品组成:
CVD系统配置:
1.1200度开启式真空管式炉(可选配单温区及双温区)。
2.滑动系统分为手动、电动滑动,并配有风冷系统。
3.内外双石英管,采用真空可通气氛双法兰te殊连接。
4.多路气体流量控制系统(质子流量控制器和浮子流量控制器)
5.真空系统(可选配中真空或高真空)
产品特点:
生长温度低;沉积速率快;成膜质量好,适用范围广,设备简单。产品专业性
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
特点展示:
产品参数:
系统名称 | 1200℃双管滑动式单/多温区CVD系统 | ||
系统型号 | CVD-12ISH-3Z/G | CVD-12II6SH-3Z/G | CVD-12III9SH-3Z/G |
zui高温度 | 1200℃ | ||
加热区长度 | 420mm | 610mm | 940mm |
恒温区长度 | 210mm | 400mm | 700mm |
温区 | 单温区 | 双温区 | 三温区 |
石英管管径 | 内管:Φ80mm 外管:Φ100mm | ||
额定功率 | 2.5Kw | 4.8Kw | 7.2Kw |
额定电压 | 220V | 220V | 380V(三相) |
滑动距离 | 290mm | 485mm | 650mm |
滑动方式 | 手动滑动/自动滑动(由温度控制器自动控制移动,当程序完成,炉子按设定的速度滑动) | ||
温度控制 | 国产程序控温系统50段程序控温; | ||
控制精度 | ±1℃ | ||
炉管zui高工作温度 | <1200℃ | ||
双管法兰连接 | 采用双法兰双卡箍连接可扩展duo功能,并且分别独立对内管和外管进行真空和气体流量控制.密封法兰与管件连接的地方采用多环密封技术,在密封法兰与管外壁间形成了密封,在管件外径误差较大的情况下密封仍然you效,该密封法兰的安装只需在第yi次使用设备的时候安装 | ||
气体控制方式 | 质量流量计 | ||
气路数量 | 3路(可根据具体需要选配气路数量) | ||
流量范围 | 0-500sccm(标准毫升/分,可选配)氮气标定 | ||
精度 | ±1%F.S | ||
响应时间 | ≤4sec | ||
工作温度 | 5-45℃ | ||
工作压力 | 进气压力0.05-0.3Mpa(表压力) | ||
系统连接方式 | 采用KF快速连接波纹管、高真空手动挡板阀及数显真空测量仪 | ||
规格 | 中真空 | 高真空 | |
系统真空范围 | 10Pa-100Pa | 1x10-3Pa-1x10-1Pa | |
真空泵 | 双级机械泵理论极xian真空度3x10-1Pa,抽气速率4L/S,出气口配有油污过滤器,额定电压220V,功率0.55Kw |
真空分子泵理论极xian真空度 5x10-6Pa抽气速率1600L/S 额定电压220V 功率2Kw |
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炉体外形尺寸 | 340×580×555mm | 480×770×605mm | 410×1100×605mm |
系统外形尺寸 | 530×1440×750mm | 530×1440×750mm(不含高真空) | |
系统总重量 | 240Kg | 340Kg |
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